碳化硅的化学机械抛光用抛光液

晶片的表面会有损伤，损伤源于本来晶体生长的缺陷、前面加工步骤中的破坏。对于局部损伤，世界上有四种方法：不管、更换、修补、去除；对于碳化硅表面的损伤层，不管不顾肯定不行，因为会影响器件的成品率；更换晶片，不就是砸自己的饭碗嘛；修补其实是再次生长，现在没有低成本的方案；而去除是一条还算可行的，用一定的材料废弃，来提高总体材料的质量。

1. 机械抛光，简单但会残留划痕，适用于初抛；
2. 化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；
3. 氢气刻蚀，设备复杂，常用于HTCVD过程；

4. 等离子辅助抛光，设备复杂，不常用。                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                            

5. 单纯的机械抛光会产生划痕，单纯的化学抛光产生非均匀腐蚀，具体如下所示：
   
   
   
   第一，直接使用SiO2机械抛光，表面质量通过精度300nm的Kla Tencor-10的Candela和精度0.01nm的本原公司CSPM4000型原子力显微镜（AFM）测量，可测出划痕深度为9.78nm。
    表面氧元素含量、穿透深度通过K-Alpha型X射线光电子能谱（XPS）仪分析：标准样为以He+溅射标准SiO2样品，溅射速率为25nm/min；试样为以He+溅射SiC样品。SiC硬度大于SiO2，所以溅射速率小于25nm/min。溅射0.25min后，氧元素信号为零，所以穿透深度小于25nm/min*0.25min=6.25nm。穿透深度小于划痕深度，说明划痕是机械作用产生的，而不是氧化作用产生的。

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7.        

   事实上，各种参数是可调的，要针对晶片和机子选择合适的条件：
   1. 可选机械抛光液为：SiO2、Al2O3、二氧化铈；
   2. 可选化学抛光液为：高锰酸钾、双氧水、Pt催化剂、Fe催化剂；
   3. 可选抛光垫：尼龙、聚氨酯；
   4. 酸碱性：KOH、HNO3；

   5. 机械作用：压力、转速、位置、时间、温度。                                                                抛光液悬浮剂     MQ-818用于磨料的悬浮，使抛光液中的磨料在抛光液中稳定悬浮